LFT1200C900D80 碳纳米线制备炉为立式碳纳米线制备生长炉，采用多段温度可控的多区生长系统。生长炉最高温度可达1400℃，可在0-1400℃范围内连续调节，热场呈垂直分布且支持多段独立控温。

碳纳米膜制备设备如图所示，由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统，红外烘干系统等组成。

CVD石墨烯制备双温区滑轨式CVD系统系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。CVD（化学气象沉积系统）常用于表面材料生长、沉积，是一款实验室常用设备

设备描述该石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。CVD（化学气象沉积系统）常用于表面材料生长、沉积，是一款实验室常用设备

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该石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统系统由预热炉、双温区滑轨炉、质子流量控制系统、真空系统三部分组成。CVD（化学气象沉积系统）常用于表面材料生长、沉积，是一款实验室常用设备