一、设备特点
碳纳米膜制备设备由气体质量流量计控制系统、液体注液系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统,红外烘干系统等组成。生长炉的最高温度1400℃,并可在0-1400℃之间连续可调,垂直式分布热场,三点控温(三段长度平均分配),设备顶部设有注液口、导流器。炉体采用双层壳体结构并带有风冷系统,保温材料为加厚型,壳体表面温度小于60℃。采用高纯氧化铝管作为炉膛材料,加热元件为优质硅碳棒。测温采用适用于高温环境的“S”型热电偶,直接和式样接触,以提高控温的精确性。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点。
二、技术参数
型号 | LFT1400C 800D802Z |
额定功率 | 20KW(参考) |
额定电压 | AC220V 50/60HZ |
最高温度 | 1400℃ |
额定温度 | 1300℃ |
推荐升温速率 | 200℃以下≤5℃/min,200-1400℃以下≤10℃/min,1400℃到1600℃≤5℃/min |
炉管尺寸 (可根据客户要求订制) | Φ80× 1400mm(刚玉管) |
控温精度 | ±1℃ |
极限真空度(选件) | 1.0×10-3Pa(机械泵+分子泵) |
加热元件 | 硅碳棒 |
重量 | 230KG(参考) |