简介:掺铌钛酸锶(Nb:SiTiO3)单晶不仅与钛酸锶有相似的结构,还有电导性。它的电阻率随着掺铌浓度(0.1~0.001wt%)在0.1~0.001W-cm之间变化,传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。
性能及参数 | ||||
生长方法 | 熔焰法 | |||
晶体结构 | 立方 | |||
晶格常数 | a =3.905 Å | |||
级别 | A | B | C | D |
掺铌浓度(wt%) | 1.0 | 0.7 | 0.5 | 0.1 |
电阻率ohm-cm | 0.0035 | 0.0070 | 0.05 | 0.08 |
迁移率cm2/vs | 9.0 | 8.5 | 8.5 | 6.5 |
颜色及外观 | 黑色 | |||
化学稳定性 | 稳定性好不溶于水 | |||
莫氏硬度 | 6mohs | |||
正切损耗 | ~5×10-4 @300k), ~3×10-4 @77k) | |||
晶向 | <100>、<110>、<111> | |||
晶面定向精度 | ±0.5° | |||
边缘定向精度 | ±1° | |||
斜切晶片 | 可按照客户需求,定制特殊方向 | |||
尺寸(可按照客户需求,定制特殊尺寸) | 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm等 | |||
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抛光 | 单面抛光、双面抛光 | |||
表面粗糙度 | <5 Å | |||
包装 | 1000级超级净室100级超净袋或单片晶盒封装 |
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