简介：硅（Si）主要制作半导体器件、红外光学器件以及太阳能电池衬底等材料。
性能及参数 | |||
晶体结构 | 面心立方 | ||
颜色及外观 | 黑色 | ||
密度 | 2.4g/cm3 | ||
熔点 | 1420℃ | ||
掺杂物质 | 不掺杂 | 掺B | 掺P |
类型 | N或P | P | N |
电阻率 | ＞1000Ωcm | 10-3～40Ωcm | 102～104Ω㎝ |
EPD | ≤100/cm2 | ≤100/cm2 | ≤100/cm2 |
氧含量 | ≤1～1.8×1018 /cm3 | ≤1～1.8×1018 /cm3 | ≤1～1.8×1018 /cm3 |
碳含量 | ≤5×1016/cm3 | ≤5×1016/cm3 | ≤5×1016/cm3 |
晶向 | <100>、<110>、<111> | ||
晶面定向精度 | ±0.5° | ||
边缘定向精度 | ±1° | ||
斜切晶片 | 可按照客户需求，定制特殊方向 | ||
尺寸（可按照客户需求，定制特殊尺寸） | 10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm、15×15×0.5mm等 | ||
dia1″×0.5mm、dia2″×0.5mm等 | |||
抛光 | 单面抛光、双面抛光等 | ||
表面粗糙度 | ＜5 Å | ||
包装 | 1000级超级净室100级超净袋或单片晶盒封装 | ||
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