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盘点CVD石墨烯制备常用的方法及使用事项
来源:技术文章    更新时间:2019-08-05    浏览:2252次
  CVD石墨烯制备研制出来的石墨烯是一种非常特殊的材料,因为它具有导电和透明的优点。材料的透明度通常取决于它的电子性能,需要一个带隙。在正常情况下,透明度和电导率相互排斥,除了一些化合物。在表面上生长的石墨烯可以使石墨烯层的大小达到或多或少的无限大小并且具有很高的可控性,这使得这些方法可以用于工业生产。然而,纯度并不是很高,这使得这些方法不适用于石墨烯的实验室研究。
 
  PECVD化学气相沉积多通道质量流量控制系统一款多路质量流量计控制系统,其质量流量计和不锈钢混气罐都安装在一个移动柜里,移动柜Z大可以承重1000Lbs,所以在与本公司大多数管式炉配套使用时,可将设备置于移动柜上以节约空间。
  CVD石墨烯制备使用注意事项
 
  石墨烯制备设备双温区滑轨式CVD系统炉管内气压不可高于0.02MPa
 
  ·当炉体温度高于1000℃时,炉管内不可处于真空状态,炉管内的气压需和大气压相当,保持在常压状态进入炉管的气体流量需小于200SCCM,以避免冷的大气流对加热石英管的冲击
 
  ·石英管的长时间使用温度<1100℃
 
  ·对于样品加热的实验,不建议关闭炉管法兰端的抽气阀和进气阀使用。若需要关闭气阀对样品加热,则需时刻关注压力表的示数,若气压表示数大于0.02MPa,必须立刻打开泄气阀,以防意外发生(如炉管破裂,法兰飞出等)
 
  CVD石墨烯制备方法主要有四种:微机械剥离法、SiC外延生长法、化学气相沉积法(CVD)、氧化还原法。CVD石墨烯的制备方法简单易行,所得石墨烯的质量高,可实现大面积生长,而且易于转移到各种基底上使用,因此该方法广泛用于石墨烯透明导电膜,以成为制备高质量石墨烯的主要方法。
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